PN结的基本特性:1、正向导通,反向截止。当正向电压达到一定值时(硅管0.7伏,锗管0.3伏)左右时,电流随电压成指数变化。与电阻相比它是具有非线性特性的,因此它的特性曲线一般是非线性的。2、有两种载流子,即电子和空穴。3、受温度影响比较大。
P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。
PN结是半导体二极管和组成其他半导体器件的基础,它是由P型半导体和N型半导体相结合而形成的。对纯净的半导体(如硅材料)掺入受主杂质或施主杂质,便可制成P型和N型半导体。空穴参与导电是半导体不同于金属导电的重要特点。
当PN结外加正向电压(正向偏置)时,耗尽区变窄,有电流流过;而当反加方向电压(反向偏置)时,耗尽区变宽,没有电流流过或电流极小,这就是半导体二极管的单向导电性,也是二极管最重要的特性。
正向偏置:电源正极接P区,负极接N区,即“P正N负”。
反向偏置:电源正极接N区,负极接P区,即“P负N正”。
将一块本征半导体的两边掺入不同的元素,一边为P型,另一边位N型。由于两边的载流子浓度不同,会产生扩散现象。
在扩散的过程中,一边失去自由电子带正电,一边失去空穴带负电,这样在P区和N区的交界处形成了一个内电场。N结内电场的方向由N区指向P区。
在内电场的作用下,两边的电子和空穴会做漂移运动。过一段时间,扩散和漂移运动达到了平衡。最后在交界面形成了一定厚度的空间电荷区,即PN结。
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